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TSM25N03CPRO产品参数
型号:TSM25N03CPRO
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):45 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.019 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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