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| 型号: | UFT30-28 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ASI SEMICONDUCTOR INC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.4 |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
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