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TI ULN2003ADR
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HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
TI ULN2003ADR
中文翻译
HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
高压大电流达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管高压PC
TI ULN2003ADR
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DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
TI ULN2003ADR
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
高压大电流达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管高压PC
TI ULN2003ADR
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DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
ONSEMI ULN2003ADR2G
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High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
TI ULN2003ADRE4
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HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
晶体晶体管达林顿晶体管
TI ULN2003ADRE4
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
高压大电流达林顿晶体管阵列
晶体晶体管达林顿晶体管高压
TI ULN2003ADRE4
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
高压大电流达林顿晶体管阵列
晶体晶体管达林顿晶体管高压
TI ULN2003ADRG3
中文翻译
HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
TI ULN2003ADRG4
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HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管PC
TI ULN2003ADRG4
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HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
高压大电流达林顿晶体管阵列
晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管高压PC
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ULN2003ADR详细参数

Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
IHS 制造商
TEXAS INSTRUMENTS INC
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOIC-16
针数
16
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
Factory Lead Time
6 weeks
风险等级
0.82
Samacsys Confidence
3
Samacsys Status
Released
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID
8642
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
16
Samacsys Part Category
Integrated Circuit
Samacsys Package Category
Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name
d(r-pdso-g16)
Samacsys Released Date
2016-06-20 08:08:59
Is Samacsys
N
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)
0.5 A
集电极-发射极最大电压
50 V
配置
COMPLEX
JEDEC-95代码
MS-012AC
JESD-30 代码
R-PDSO-G16
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
7
端子数量
16
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
-20 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
VCEsat-Max
1.6 V
Base Number Matches
1
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