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UMD3NTR产品参数
型号:UMD3NTR
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROHM CO LTD
零件包装代码:SC-88
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
Factory Lead Time:13 weeks
风险等级:1.65
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
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