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型号: | UPA1874BGR-9JG |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | NEC ELECTRONICS AMERICA INC |
包装说明: | POWER TSSOP-8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.77 |
Is Samacsys: | N |
配置: | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0195 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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