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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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UPD4104C产品参数
型号:UPD4104C
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:300 ns
I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1
端子数量:18
字数:4096 words
字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4KX1
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.021 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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