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  • UPD431632LGFA7图
  • 北京首天国际有限公司

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  • UPD431632LGFA7
  • 数量8000 
  • 厂家NEC 
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  • UPD431632LGF-A7-E2图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • UPD431632LGF-A7-E2
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家NEC 
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • UPD431632LGF-A7图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • UPD431632LGF-A7
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  • 厂家RENESAS 
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  • 批号22+ 
  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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UPD431632LGF-A6产品参数
型号:UPD431632LGF-A6
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:4.6 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:32
端子数量:100
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32KX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL
电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.22 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm
端子位置:QUAD
Base Number Matches:1
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