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UPD442000LGU-B85X-9JH产品参数
型号:UPD442000LGU-B85X-9JH
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:NEC ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.78
最长访问时间:85 ns
其他特性:BATTERY BACKUP
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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