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型号: | UPD48011418FF-FH12-FF1-A |
Brand Name: | Renesas |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life |
IHS 制造商: | RENESAS ELECTRONICS CORP |
零件包装代码: | T-LBGA |
包装说明: | LBGA, BGA180,13X18,40 |
针数: | 180 |
制造商包装代码: | TLBG0180FA-A180 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO REFRESH; IT ALSO REQUIRES AT 2.5V |
最大时钟频率 (fCLK): | 800 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B180 |
长度: | 18.5 mm |
内存密度: | 1207959552 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 180 |
字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 64MX18 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA180,13X18,40 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
电源: | 1.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.374 mm |
连续突发长度: | 4 |
子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 1.605 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.395 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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