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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • UPTB12
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  • 厂家POWERMITE 
  • 封装SOD-123 
  • 批号2023+ 
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  • UPTB12-LF图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • UPTB12-LF
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  • 厂家MS 
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UPTB12产品参数
型号:UPTB12
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-216AA
包装说明:S-PDSO-G1
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.54
Is Samacsys:N
最小击穿电压:13.8 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-216AA
JESD-30 代码:S-PDSO-G1
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:1
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W
最大重复峰值反向电压:12 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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