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  • VP13083-3图
  • 上海振基实业有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • VP13083-3
  • 数量1276 
  • 厂家NXP/Philips 
  • 封装原厂封装 
  • 批号2016+ 
  • 全新原装现货/另有约30万种现货,欢迎来电!
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配单直通车
VP1310N2产品参数
型号:VP1310N2
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SUPERTEX INC
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.89
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):0.25 A
最大漏源导通电阻:25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pF
JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:3 W
最大功率耗散 (Abs):3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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