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  • V200808图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • V200808
  • 数量8880 
  • 厂家FERRAZ/罗兰熔断器 
  • 封装标准封装 
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  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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  • V200808图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 厂家21+ 
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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配单直通车
V200CH8产品参数
型号:V200CH8
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:LITTELFUSE INC
包装说明:CHIP, ROHS COMPLIANT
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:0.63
Is Samacsys:N
电路直流最大电压:175 V
电路RMS最大电压:130 V
最大能量吸收容量:4 J
JESD-609代码:e4
安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
封装形状:RECTANGULAR PACKAGE
封装形式:Chip / Die
包装方法:TR, 13 INCH
额定功率耗散 (P):0.25 W
额定温度:125 °C
电阻器类型:VARISTOR
子类别:Non-linear Resistors
表面贴装:YES
技术:METAL OXIDE FILM
端子面层:Silver/Platinum (Ag/Pt)
端子位置:DUAL ENDED
端子形状:WRAPAROUND
Base Number Matches:1
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