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VBPW34S产品参数
型号:VBPW34S
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.40.60.50
风险等级:1.54
配置:SINGLE
最大暗电源:30 nA
红外线范围:YES
JESD-609代码:e3
标称光电流:0.055 mA
安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1
最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:PIN PHOTODIODE
峰值波长:940 nm
最小反向击穿电压:60 V
最大反向电压:60 V
半导体材料:Silicon
形状:RECTANGULAR
尺寸:4.4 mm
子类别:Photo Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1
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