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VBUS053CZ-HAF-G-08产品参数
型号:VBUS053CZ-HAF-G-08
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
包装说明:R-PDSO-N6
针数:6
制造商包装代码:LLP75-7L
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:1.58
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CAPACITANCE
最大击穿电压:10 V
最小击穿电压:6.5 V
击穿电压标称值:8.25 V
外壳连接:ANODE
最大钳位电压:15 V
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N6
最大非重复峰值反向功率耗散:36 W
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压:5.5 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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