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VESD09A4A-HSF-GS08产品参数
型号:VESD09A4A-HSF-GS08
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:S-PDSO-N6
针数:6
制造商包装代码:LLP75-6L
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.79
其他特性:LOW CAPACITANCE
最大击穿电压:13 V
最小击穿电压:11.2 V
击穿电压标称值:12.1 V
外壳连接:ANODE
最大钳位电压:23 V
配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:30 W
元件数量:4
端子数量:6
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:9 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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