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型号: | VMO150-01P1 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | LITTELFUSE INC |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.39 |
雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ |
外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 165 A |
最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X11 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 11 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 720 A |
认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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