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VN0106产品参数
型号:VN0106
生命周期:Active
IHS 制造商:NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.27
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):0.35 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量:1
工作模式:ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型:N-CHANNEL
晶体管元件材料:SILICON
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