VN2210N2产品参数

品牌：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3

详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.7A（Tj） 360mW（Tc） TO-39

制造商：Microchip Technology

系列：-

包装：散装

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.7A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 10mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：500pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-39

封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐

标准包装：500