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  • 深圳市一线半导体有限公司

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VN5210ND产品参数
型号:VN5210ND
生命周期:Active
包装说明:UNCASED CHIP, X-XXUC-N3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.38
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.35 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:X-XXUC-N3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD
端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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