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| 型号: | VNL5030JTR-E |
| Brand Name： | STMicroelectronics |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | STMICROELECTRONICS |
| 包装说明： | SSOP-12 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 1.56 |
| Samacsys Description： | Gate Drivers OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower |
| 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G12 |
| 长度： | 4.9 mm |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 12 |
| 输出电流流向： | SINK |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LSSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 1.62 mm |
| 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 3.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 18.8 µs |
| 接通时间： | 7.6 µs |
| 宽度： | 3.9 mm |
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