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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市芯泽盛世科技有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号VNW50N04的概述

VNW50N04芯片概述 VNW50N04是一种高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。这种芯片因其高效率、低导通电阻和优异的热性能而受到广泛关注,成为许多电子设备中不可或缺的组件。VNW50N04通常被应用于电机驱动、DC-DC转换器和线性稳压...
配单直通车
VNW50N04产品参数
型号:VNW50N04
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-247
包装说明:TO-247, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
内置保护:TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
输入特性:SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
功能数量:1
端子数量:3
输出特性:OPEN-DRAIN
输出电流流向:SINK
标称输出峰值电流:50 A
输出极性:TRUE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大压摆率:0.5 mA
表面贴装:NO
技术:MOS
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:25 µs
接通时间:3 µs
Base Number Matches:1
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