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VP0350N1产品参数
型号:VP0350N1
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.5 A
最大漏极电流 (ID):1.5 A
最大漏源导通电阻:7.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):50 pF
JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):130 ns
最大开启时间(吨):60 ns
Base Number Matches:1
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