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  • 深圳市翔兴电子有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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VP1008B产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 100V .79A TO-205

详细描述:通孔 P 沟道 100V 790mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):790mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):150pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):6.25W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-39

封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐

标准包装:100

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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