VP1008B产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 100V .79A TO-205

详细描述：通孔 P 沟道 100V 790mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：790mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 1mA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：150pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：6.25W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-39

封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐

标准包装：100

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）