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VP1008B产品参数
型号:VP1008B
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.66
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):0.79 A
最大漏源导通电阻:5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):25 pF
JEDEC-95代码:TO-205AD
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:6.25 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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