VQ1001P产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：4 个 N 通道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：830mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.75 欧姆 @ 200mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：110pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：-

供应商器件封装：14-DIP

标准包装：25

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）