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VQ1001P产品参数
型号:VQ1001P
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TEMIC SEMICONDUCTORS
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76
Is Samacsys:N
其他特性:FAST SWITCHING, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.53 A
最大漏源导通电阻:1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDIP-T14
元件数量:4
端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):3 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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