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| 型号: | VQ1006J |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 90 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 10 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 10 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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