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VQ1006P-2产品参数
型号:VQ1006P-2
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy
包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T14
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.74
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:90 V
最大漏极电流 (ID):0.4 A
最大漏源导通电阻:3.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):10 pF
JESD-30 代码:R-PDIP-T14
JESD-609代码:e0
元件数量:4
端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):2 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):10 ns
最大开启时间(吨):10 ns
Base Number Matches:1
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