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VRF151G产品参数
型号:VRF151G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
包装说明:ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-5
针数:5
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:2.11
外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:170 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):36 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):500 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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