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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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VS-8EWS08STRLPBF产品参数
型号:VS-8EWS08STRLPBF
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.79
Is Samacsys:N
应用:HIGH VOLTAGE
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 V
JEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向电流:50 µA
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1
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