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| 型号: | VS-MURB820PBF |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.45 |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY HIGH POWER |
| 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.895 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (SN) - WITH NICKEL (NI) BARRIER |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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