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  • W25Q128BVFFT图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • W25Q128BVFFT
  • 数量13050 
  • 厂家WINBOND 
  • 封装SOP16PB 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657

    W25Q128BVFFT相关文章

配单直通车
W25Q128BVFIG产品参数
型号:W25Q128BVFIG
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:WINBOND ELECTRONICS CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:0.300 INCH, GREEN, SOIC-16
针数:16
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.7
Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e3
长度:10.31 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:16
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128MX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP16,.4
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.64 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000015 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE
宽度:7.49 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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