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型号: | W25Q128FVFIQ |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOIC-16 |
针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.68 |
最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz |
数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
长度: | 10.31 mm |
内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 |
字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.64 mm |
串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 7.49 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
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