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| 型号: | W25Q32FVSSIG |
| 是否无铅: | 不含铅 |
| 是否Rohs认证: | 符合 |
| 生命周期: | Obsolete |
| IHS 制造商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 零件包装代码: | SOIC |
| 包装说明: | SOP, SOP8,.3 |
| 针数: | 8 |
| Reach Compliance Code: | compliant |
| ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
| HTS代码: | 8542.32.00.51 |
| 风险等级: | 8.56 |
| 最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz |
| 数据保留时间-最小值: | 20 |
| 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码: | S-PDSO-G8 |
| JESD-609代码: | e3 |
| 长度: | 5.28 mm |
| 内存密度: | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型: | FLASH |
| 内存宽度: | 1 |
| 功能数量: | 1 |
| 端子数量: | 8 |
| 字数: | 33554432 words |
| 字数代码: | 32000000 |
| 工作模式: | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度: | 85 °C |
| 最低工作温度: | -40 °C |
| 组织: | 32MX1 |
| 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码: | SOP |
| 封装等效代码: | SOP8,.3 |
| 封装形状: | SQUARE |
| 封装形式: | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行: | SERIAL |
| 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
| 电源: | 3/3.3 V |
| 编程电压: | 2.7 V |
| 认证状态: | Not Qualified |
| 座面最大高度: | 2.16 mm |
| 串行总线类型: | SPI |
| 最大待机电流: | 0.00002 A |
| 子类别: | Flash Memories |
| 最大压摆率: | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
| 表面贴装: | YES |
| 技术: | CMOS |
| 温度等级: | INDUSTRIAL |
| 端子面层: | Tin (Sn) |
| 端子形式: | GULL WING |
| 端子节距: | 1.27 mm |
| 端子位置: | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
| 类型: | NOR TYPE |
| 宽度: | 5.28 mm |
| 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
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