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型号: | W25Q80BLDAIG |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
长度: | 9.27 mm |
内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL |
电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.33 mm |
串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.018 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 7.62 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
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