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| 型号: | W25Q80EWSNIG |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.64 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 104 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.85 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8 V |
| 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.0000075 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 3.9 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
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