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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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产品型号W39V040BPZ的概述

W39V040BPZ芯片概述 W39V040BPZ是一款由Winbond制造的高性能闪存芯片,主要用于存储数据和程序。该芯片采用NOR闪存架构,具备快速读写速度和高写入/擦除耐久性。作为一款广泛用于嵌入式系统、消费电子和通讯设备中的存储器解决方案,W39V040BPZ在电子产品的各个领域都有着重要...
配单直通车
W39V040BQ产品参数
型号:W39V040BQ
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP
包装说明:STSOP-32
针数:32
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.91
最长访问时间:11 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE
启动块:TOP
命令用户界面:NO
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:12.4 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:8
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.56,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3.3 V
编程电压:3.3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:64K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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