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| 型号: | W3H64M64E-533BI |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 包装说明： | BGA, |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.65 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B208 |
| 长度： | 20.1 mm |
| 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 208 |
| 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64MX64 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 座面最大高度： | 2.83 mm |
| 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 16.1 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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