芯片W972GG6KB-25的概述
W972GG6KB-25是一款由知名半导体制造商旺宏电子(Winbond Electronics Corporation)所生产的DRAM芯片。作为现代电子设备中广泛应用的存储器之一,该芯片主要用于计算机、移动设备及各种嵌入式系统中。本芯片依赖于动态随机存取存储器(DRAM)技术,以其高存储容量、速度和可靠性而受到业界的青睐。
芯片W972GG6KB-25的详细参数
W972GG6KB-25是一款512Mb(64MB)DDR2 SDRAM。其关键参数如下:
- 存储技术: DDR2 SDRAM - 容量: 512Mb(64MB) - 访问时间: 25纳秒(ns) - 数据带宽: 4.8 GB/s - 工作电压: 1.8V - 接口: 以16位为单位的数据总线(x16) - 温度范围: 商用范围0°C至70°C,工业范围-40°C至85°C - 封装类型: FBGA(Fine Ball Grid Array)
该芯片采用了先进的DRAM制造工艺,可以在相对较低的电压下保证高性能,适合各种功耗敏感的应用场景。同时,W972GG6KB-25的设计支持多种操作模式,包括读、写、预充电和自刷新等,实现了灵活的存储方案。
芯片W972GG6KB-25的厂家、包装、封装
W972GG6KB-25的制造商旺宏电子(Winbond)成立于1987年,总部位于台湾。该公司是一家全球领先的存储器设计、开发和生产企业,产品涵盖DRAM、NAND Flash、Serial Flash等多个领域。
在包装方面,W972GG6KB-25采用FBGA封装,这种封装方式以其较小的体积和良好的电气性能而备受青睐。FBGA封装不仅可以节省电路板空间,还能通过增加球形引脚的数量提高连接器的密度。这种封装类型适合高性能和高集成度的电子设备,为便携式产品和高端应用提供了良好的解决方案。
芯片W972GG6KB-25的引脚和电路图说明
W972GG6KB-25的引脚排列通常是以FBGA形式呈现,每个引脚的功能与布局非常复杂。以下是该芯片典型引脚配置的关键部分:
1. 电源引脚:包括VDD和VSS,用于提供工作电压和接地。 2. 数据引脚:16条数据引脚(DQS、DQ0-DQ15),用于数据的输入和输出。 3. 控制引脚:包括命令引脚(CK、CKE、CS、Ras、Cas等),用于控制芯片的工作状态如读、写和刷新操作。 4. 时钟引脚:CK和CKE引脚用于生成时钟信号,是数据传输和控制操作的重要基准。
关于电路图,设计师可以根据芯片的引脚功能,将其与主控芯片或微处理器连接。在典型应用中,W972GG6KB-25一般与控制器协同工作,通过控制引脚发送适当的命令,并在数据引脚上进行数据的读写。
芯片W972GG6KB-25的使用案例
W972GG6KB-25作为高性能的存储解决方案,已广泛应用于多个领域,以下是一些典型的使用案例:
1. 计算机内存:在个人电脑和工作站中,W972GG6KB-25被用作系统内存,以提供高速的数据访问和处理能力。其大容量和高带宽的特性可以满足多任务处理及大型软件应用的需求。
2. 移动设备:该芯片也被广泛应用于智能手机、平板电脑等移动设备中,帮助设备在更低功耗下实现更加流畅的操作体验。在紧凑的空间内,FBGA封装的优势使其更适合移动应用设计。
3. 嵌入式系统:在各种嵌入式系统如智能家居、物联网设备和工业自动化设备中,W972GG6KB-25由于其可靠性和功耗优势能够提供稳定的存储解决方案,从而支持处理器的实时数据处理任务。
4. 网络设备:在路由器、交换机等网络设备中,该芯片可用于缓存存储和临时数据存放,有助于提升网络性能和数据传输效率。
5. 医疗设备:在先进的医疗设备中,W972GG6KB-25也可以作为数据存储解决方案,支持数据的高速读写以实现对病人信息和监测数据的实时处理和存储。
总之,W972GG6KB-25凭借其先进的技术参数和多功能应用,已成为很多电子设备的重要组成部分。其高性的性能、密集的封装形式和稳定的工作范围,使其在现代电子市场中占据了重要位置,并发挥着关键的作用。伴随科技的不断进步和发展,W972GG6KB-25在未来的应用潜力依然广阔。
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型号: | W972GG6KB-25 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
包装说明: | 8 X 12.50 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 2.23 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码: | e1 |
长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 84 |
字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 128MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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