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  • 北京耐芯威科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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产品型号W981216AH-75的概述

W981216AH-75芯片概述 W981216AH-75是一种高性能动态随机存取存储器(DRAM),广泛应用于多种电子设备中。此芯片由Winbond Electronics Corporation生产,因其稳定性和高效率,成为了许多计算机、通讯及消费类电子产品的重要组成部分。W981216AH-...
配单直通车
W981216AH-75产品参数
型号:W981216AH-75
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2
包装说明:0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
针数:54
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.26
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:8MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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