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W9812G2DB75E产品参数
型号:W9812G2DB75E
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:WINBOND ELECTRONICS CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,
针数:90
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.23
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B90
JESD-609代码:e1
长度:13 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:90
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:4MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:8 mm
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