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| 型号: | WEDPN16M64V-133B2M |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, |
| 针数： | 219 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.52 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.5 ns |
| 其他特性： | AUTO REFRESH |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B219 |
| 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 219 |
| 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16MX64 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | BALL |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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