WNM2021-3/TR全新原装原理图各脚功能电路原理芯片引脚定义-中国IC网-芯三七

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产品型号WNM2021-3/TR的概述

WNM2021-3/TR 芯片的概述 WNM2021-3/TR 是一种高性能模拟信号处理芯片，广泛应用于多种电子设备中，特别是在通信、消费电子和工业控制等领域。它具有多种特性，如低功耗、高线性度、宽工作温度范围等，使得其在复杂的应用场景下仍能保持良好的性能。 WNM2021-3/TR 芯片采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能。它内置了多个功能模块，使其具备丰富的应用特性，能够实现信号放大、处理和转换等作用。该芯片的设计目标是为了满足现代电子设备对信号处理效率和可靠性的高要求。详细参数 WNM2021-3/TR 的性能参数如下： - 工作电压：3.3V ~ 5V - 工作频率：300MHz ~ 2GHz - 放大增益范围：20dB ~ 60dB - 输入阻抗：50Ω - 输出阻抗：50Ω - 功耗：< 20mW （在最大增益下） - 温度范围：-40°C ~ +85°C - 封装类型...

产品型号WNM2023的Datasheet PDF文件预览

Product specification

WNM2023

Single N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET

V_DS(V)

Rds(on) (Ω)

0.038@ V_GS=4.5V

0.044@ V_GS=2.5V

0.052@ V_GS=1.8V

SOT-23-3L

Descriptions

The WNM2023 is N-Channel enhancement MOS

Field Effect Transistor. Uses advanced trench

technology and design to provide excellent R_{DS (ON)}

with low gate charge. This device is suitable for use in

DC-DC conversion, power switch and charging circuit.

Standard Product WNM2023 is Pb-free.

Pin configuration (Top view)

Features

Trench Technology

W04*

Supper high density cell design

Excellent ON resistance for higher DC current

Extremely Low Threshold Voltage

Small package SOT-23-3L

W04= Device Code

= Month (A~Z)

Marking

Applications

Order information

Device

Package

Shipping

Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.

WNM2023-3/TR SOT-23-3L 3000/Reel&Tape

DC-DC converter circuit

Power Switch

Load Switch

Charging

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 3

Product specification

WNM2023

Absolute Maximum ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

V_DS

10 S

Steady State

Unit

±8

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A=25°C

T_A=70°C

T_A=25°C

T_A=70°C

T_A=25°C

T_A=70°C

T_A=25°C

T_A=70°C

3.2

2.5

0.8

0.5

2.9

2.3

0.6

0.4

2.9

2.3

0.7

0.4

2.7

2.1

0.5

0.3

Continuous Drain Current ^a

Maximum Power Dissipation ^a

Continuous Drain Current ^b

Maximum Power Dissipation ^b

I_D

P_D

I_D

P_D

Pulsed Drain Current ^c

I_DM

T_J

Operating Junction Temperature

Lead Temperature

150

260

°C

T_L

Storage Temperature Range

T_stg

-55 to 150

Thermal resistance ratings

Parameter

Symbol

Typical

125

Maximum

150

Unit

t ≤ 10 s

Junction-to-Ambient Thermal Resistance ^a

R_θJA

140

175

Steady State

t ≤ 10 s

150

180

°C/W

Junction-to-Ambient Thermal Resistance ^b

Junction-to-Case Thermal Resistance

R_θJA

R_θJC

165

210

Steady State

Surface mounted on FR4 Board using 1 square inch pad size, 1oz copper

Surface mounted on FR4 board using minimum pad size, 1oz copper

Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature, t_p=10µs, Duty Cycle=1%

Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J=150°C.

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Product specification

WNM2023

Electronics Characteristics (Ta=25^oC, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-to-source Leakage Current

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

BV_DSS

I_DSS

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250uA

V_DS=16 V, V_GS= 0V

V_DS= 0 V, V_GS= ±8V

±100

V_GS(TH)

R_DS(on)

g_FS

V_GS= V_DS, I_D= 250uA

V_GS= 4.5V, I_D= 3.2A

V_GS=-2.5V, I_D=3.1A

V_GS= 1.8V, I_D= 1.5A

V_DS= 5 V, I_D=3.1A

0.45

0.6

mΩ

Drain-to-source On-resistance

Forward Transconductance

CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE

500

Input Capacitance

C_ISS

V_GS= 0 V, f = 1.0 MHz, V_DS

10 V

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

C_OSS

C_RSS

Q_G(TOT)

Q_G(TH)

Q_GS

8.05

0.45

0.6

Threshold Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Rise Time

V_GS=4.5 V, V _DS=10 V,

I_D= 3.1A

2.65

Q_GD

td(ON)

V_GS= 4.5 V, V_DS= 10 V,

R_L=3.5Ω, R_G=6 Ω

Turn-Off Delay Time

Fall Time

td(OFF)

BODY DIODE CHARACTERISTICS

Forward Voltage

V_SD

V_GS= 0 V, I_S= 1.0A

0.5

0.62

1.5

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WNMP1005产品参数

型号:	WNMP1005
生命周期：	Active
IHS 制造商：	API TECHNOLOGIES CORP
Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N
其他特性：	I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM
构造：	COMPONENT
增益：	20 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm
最大工作频率：	200 MHz
最小工作频率：	10 MHz
最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
最大电压驻波比：	2
Base Number Matches：	1

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