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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 封装原装现货供应 假一罚十 
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  • 封装SOT-23 
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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 深圳市誉兴微科技有限公司

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  • 深圳原装现货,支持实单
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 数量91752 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2024 
  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
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  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 厂家韦尔WILL 
  • 封装SOT23-3 
  • 批号29898 
  • ★专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品★
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT23-3 
  • 批号2021+ 
  • 现货实库存不止量大以电话为准
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量3220 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT-23 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家Bychip/百域芯 
  • 封装SOT23-3 
  • 批号24+ 
  • 优势供应 品质保障 可开13点发票
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  • 0755-23616725 QQ:2885648621
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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 数量18560 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT23 
  • 批号16PB 
  • 假一赔十★全新原装现货★★特价供应★工厂客户可放款
  • QQ:799387964QQ:799387964 复制
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  • 0755-82566711 QQ:799387964QQ:2777237833
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  • 深圳市巨辉通科技有限公司

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  • 数量36000 
  • 厂家韦尔WILL 
  • 封装SOT23-3 
  • 批号2011+ 
  • ★专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品★
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  • 0755-83202636;83227655 QQ:905208275QQ:839052285
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家VBsemi(台湾微碧) 
  • 封装SOT23-3 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 0755-21006672 QQ:3008961398
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 数量6500 
  • 厂家
  • 封装SOT-23 
  • 批号20+ 
  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
  • QQ:1437347957QQ:1437347957 复制
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  • 0755-82343089 QQ:1437347957QQ:1205045963
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家TI 
  • 封装SOP8 
  • 批号2022+ 
  • 电子元器件一站式配套服务QQ:122350038
  • QQ:2355878626QQ:2355878626 复制
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 数量15000 
  • 厂家WILLsemi 
  • 封装SOT23-3L 
  • 批号22+ 
  • 一级代理,公司优势产品,可开增值票
  • QQ:709809857QQ:709809857 复制
  • 0755-82531732 QQ:709809857
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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家韦尔WILL 
  • 封装深圳原装现货0755-83975781 
  • 批号A/N 
  • QQ:767621813QQ:767621813 复制
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 数量50894 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT-23 
  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT23-3 
  • 批号22+ 
  • 深圳现货库存,保证原装正品
  • QQ:1940213521QQ:1940213521 复制
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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 数量68000 
  • 厂家WILLsemi 
  • 封装SOT233 
  • 批号22+ 
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装SOT-23 
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  • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 数量15000 
  • 厂家WILL 
  • 封装SOT23-3 
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  • 全新原装现货,价格优势
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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市英信达电子有限公司

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产品型号WNM2306-3/TR的概述

WNM2306-3/TR 芯片的概述及详细参数分析 一、概述 WNM2306-3/TR 是一款专为无线通信和信号处理应用而设计的集成电路(IC)。该芯片采用了先进的半导体技术,具备低功耗、高效能、不易干扰的特点,广泛应用于手机、无线网络、蓝牙和物联网设备等领域。WNM2306-3/TR 在市场上的应用潜力显着,尤其是在日益增长的无线通讯需求下,逐渐成为工程师和开发者的优选产品。 二、详细参数 以下为 WNM2306-3/TR 的一些核心参数和规格: - 电源电压(Vcc):2.7V 至 5.5V; - 工作温度范围:-40°C 到 +85°C; - 功耗:在典型工作条件下,功耗在 10mA 以下; - 数据传输速率:最高可达 2Mbps; - 接口类型:支持 SPI、I2C 等多种通信接口协议; - 射频频段:支持 2.4GHz 无线频段; - 接收灵敏度:-90 dBm(典型值);...

产品型号WNM3003的Datasheet PDF文件预览

Product specification  
WNM3003  
N-Channel, 30V, 4.0A, Power MOSFET  
Rds(on)  
(Ÿ)  
V(BR)DSS  
0.033@ 10V  
0.033@ 10V  
0.043 @ 4.5V  
30V  
SOT-23  
D
3
Descriptions  
The WNM3003 is N-Channel enhancement MOS  
Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology  
and design to provide excellent RDS (ON) with low gate  
charge. This device is suitable for use in DC-DC  
conversion and power switch applications. Standard  
Product WNM3003 is Pb-free.  
2
S
1
G
Configuration (Top View)  
Features  
z
z
z
z
z
Trench Technology  
WT3*  
Supper high density cell design  
Excellent ON resistance for higher DC current  
Extremely Low Threshold Voltage  
Small package SOT-23  
WT3  
*
= Device Code  
= Month (A~Z)  
Marking  
Applications  
Order Information  
Device  
WNM3003-3/TR  
Package  
SOT-23  
Shipping  
3000/Tape&Reel  
z
z
z
z
z
Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.  
DC-DC converter circuit  
Power Switch  
Load Switch  
Charging  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1 of 3  
Product specification  
WNM3003  
Absolute Maximum ratings  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
DSꢀ  
10 S  
Steady State  
30  
Unit  
V
V
20  
Gate-Source Voltage  
VGS  
4.0  
3.2  
0.8  
0.5  
3.7  
2.9  
0.7  
0.4  
3.7  
3.0  
0.7  
0.4  
3.4  
2.7  
0.6  
0.3  
TA=25°C  
TA=70°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain Current a  
Maximum Power Dissipation a  
Continuous Drain Current b  
Maximum Power Dissipation b  
ID  
A
W
A
PD  
ID  
PD  
W
Pulsed Drain Current c  
IDM  
TJ  
A
10  
150  
Operating Junction Temperature  
Lead Temperature  
°C  
°C  
°C  
260  
TL  
-55 to 150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
Thermal resistance ratings  
Parameter  
Symbol  
Typical  
120  
Maximum  
145  
Unit  
t ” 10 s  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance a  
RșJA  
132  
168  
Steady State  
t ” 10 s  
145  
174  
°C/W  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance b  
Junction-to-Case Thermal Resistance  
RșJA  
RșJC  
158  
202  
Steady State  
Steady State  
60  
75  
a
b
c
d
Surface mounted on FR4 Board using 1 square inch pad size, 1oz copper  
Surface mounted on FR4 board using minimum pad size, 1oz copper  
Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature, tp=10μs, Duty Cycle=1%  
Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ=150°C.  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
2 of 3  
Product specification  
WNM3003  
Electronics Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
IDSS  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250uA  
30  
V
VDS =24 V, VGS  
= 0V  
1
uA  
VDS = 0 V, VGS = 20V  
100  
nA  
VGS(TH)  
RDS(on)  
gFS  
VGS = VDS, ID = 250uA  
VGS = 10V, ID = 3.1A  
VGS = 10V, ID = 2.5A  
VGS = 4.5V, ID = 2.0A  
VDS = 4.5V, ID = 2.8A  
1.0  
1.6  
33  
3.0  
47  
47  
59  
V
mŸ  
S
Drain-to-source On-resistance  
33  
43  
Forward Transconductance  
5.8  
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE  
Input Capacitance  
CISS  
570  
72  
V
GS = 0 V, f = 1.0 MHz, VDS =  
pF  
nC  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
COSS  
CRSS  
QG(TOT)  
QG(TH)  
QGS  
15 V  
64  
11.6  
0.8  
1.25  
3.0  
Threshold Gate Charge  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain Charge  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
VGS =10 V, VDS =15 V,  
ID = 3.1A  
QGD  
td(ON)  
5
tr  
VGS = 10 V, VDS = 15 V,  
3.3  
39  
4.4  
ns  
V
ID=1A, RG=6 Ÿ  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
td(OFF)  
tf  
BODY DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Voltage  
VSD  
VGS = 0 V, IS = 1.5A  
0.50  
0.84  
1.50  
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3 of 3  
配单直通车
WNMP1005产品参数
型号:WNMP1005
生命周期:Active
IHS 制造商:API TECHNOLOGIES CORP
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.17
Is Samacsys:N
其他特性:I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM
构造:COMPONENT
增益:20 dB
最大输入功率 (CW):20 dBm
最大工作频率:200 MHz
最小工作频率:10 MHz
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-55 °C
射频/微波设备类型:WIDE BAND MEDIUM POWER
最大电压驻波比:2
Base Number Matches:1
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