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WPB4002产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB

详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Ta) 2.5W(Ta),220W(Tc) TO-3PB

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:托盘

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):360 毫欧 @ 11.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):84nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2200pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),220W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3PB

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

标准包装:100

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