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  • 深圳市成天电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装DFN-6.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家WILLSEMI 
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装DFN6 
  • 批号最新批号 
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • ▉原装现货▉可含税可订货
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 封装DFN22-6L 
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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装DFN6 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 封装SOT-23-6 
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  • 正品原装 支持最低价
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 数量72002 
  • 厂家WILLSEMI韦尔 
  • 封装DFN2020-6L 
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  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家Bychip/百域芯 
  • 封装DFN6 
  • 批号24+ 
  • 优势供应 品质保障 可开13点发票
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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 数量7800 
  • 厂家WILLSEM 
  • 封装DFN 
  • 批号21+ 
  • 主营品牌,代理渠道,价格优势
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  • 0755-82518059 QQ:872328909
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家WILLSEMI(韦尔) 
  • 封装DFN-6L(2x2) 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 0755-21006672 QQ:3008961398
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  • 深圳市中利达电子科技有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家WILLSEMI(韦尔) 
  • 封装DFN2020-6L 
  • 批号24+ 
  • 原装进口现货 假一罚十
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  • 0755-13686833545 QQ:1902134819QQ:2881689472
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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 厂家WILLSEMI 
  • 封装DFN-6 
  • 批号22+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 0755-82531732 QQ:709809857
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家TI 
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 封装DFN2020-6L 
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 厂家WILLSEMI 
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产品型号WPM1481-6/TR的概述

芯片WPM1481-6/TR的概述 WPM1481-6/TR是一个高度集成的电源管理芯片,专为各种电子应用而设计,尤其在通信、消费电子及工业设备中具有广泛应用。该芯片以其卓越的性能和灵活的设计得到了工程师们的青睐。WPM1481-6/TR采用了先进的制造工艺和电源管理技术,能够在提高转换效率的同时降低功耗。 该芯片的核心功能包括但不限于电源转换、稳压、过流和过热保护。其设计目标是提供稳定的输出电压和电流,以满足不同负载的需求。此外,WPM1481-6/TR还具有较高的频率响应,支持快速瞬态负载变换,从而能适应复杂的负载变化情形。这种高效和稳定性让WPM1481-6/TR在市场上占据了有利位置。 芯片WPM1481-6/TR的详细参数 WPM1481-6/TR的主要参数如下: - 输入电压范围: 4.5V - 15V - 输出电压调节范围: 0.8V - 12V,支持用户自定义 - 最大...

产品型号WPM2015的Datasheet PDF文件预览

Product specification  
WPM2015  
Single P-Channel, -20V, -2.4A, Power MOSFET  
VDS (V)  
Rds(on) (ȍ)  
0.081@ VGS=4.5V  
0.103@ VGS=2.5V  
-20  
SOT-23  
Descriptions  
D
3
The WPM2015 is P-Channel enhancement  
MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench  
technology and design to provide excellent RDS (ON)  
with low gate charge. This device is suitable for use  
in DC-DC conversion, power switch and charging  
circuit. Standard Product WPM2015 is Pb-free and  
Halogen-free.  
1
G
2
S
Pin configuration (Top view)  
3
Features  
WT1*  
z
z
z
z
z
Trench Technology  
Supper high density cell design  
Excellent ON resistance for higher DC current  
Extremely Low Threshold Voltage  
Small package SOT-23  
1
2
WT1= Device Code  
*
= Month (A~Z)  
Marking  
Applications  
Order information  
z
z
z
z
z
Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.  
Device  
Package  
Shipping  
3000/Reel&Tape  
WPM2015-3/TR  
SOT-23  
DC-DC converter circuit  
Power Switch  
Load Switch  
Charging  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1 of 3  
Product specification  
WPM2015  
Absolute Maximum ratings  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
10 S  
Steady State  
-20  
Unit  
V
f8  
Gate-Source Voltage  
VGS  
-2.4  
-1.9  
0.9  
-2.2  
-1.7  
0.8  
TA=25°C  
TA=70°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain Current a  
Maximum Power Dissipation a  
Continuous Drain Current b  
Maximum Power Dissipation b  
ID  
PD  
ID  
A
W
A
0.5  
0.5  
-2.2  
-1.7  
0.7  
-2.0  
-1.6  
0.6  
PD  
W
0.5  
0.4  
Pulsed Drain Current c  
IDM  
TJ  
A
-10  
150  
Operating Junction Temperature  
Lead Temperature  
°C  
°C  
°C  
260  
TL  
-55 to 150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
Thermal resistance ratings  
Parameter  
Symbol  
Typical  
105  
Maximum  
135  
Unit  
t ” 10 s  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance a  
RșJA  
120  
155  
Steady State  
t ” 10 s  
130  
160  
°C/W  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance b  
Junction-to-Case Thermal Resistance  
RșJA  
RșJC  
145  
190  
Steady State  
Steady State  
60  
75  
a
b
c
d
Surface mounted on FR-4 Board using 1 square inch pad size, 1oz copper  
Surface mounted on FR-4 board using minimum pad size, 1oz copper  
Pulse width<380μs, Duty Cycle<2%  
Maximum junction temperature TJ=150°C.  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
2 of 3  
Product specification  
WPM2015  
Electronics Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
IDSS  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = -250uA  
VDS = -16V, VGS = 0V  
VDS = 0 V, VGS = f8V  
-20  
V
-1  
uA  
nA  
f100  
VGS(TH)  
RDS(on)  
VGS = VDS, ID = -250uA  
VGS = -4.5V, ID = -2.7A  
VGS = -2.5V, ID = -2.2A  
-0.40  
-0.62  
81  
-0.81  
110  
V
b, c  
mŸ  
Drain-to-source On-resistance  
103  
150  
CAPACITANCES, CHARGES  
Input Capacitance  
CISS  
534  
62  
VGS = 0 V,  
f = 1.0 MHz,  
pF  
nC  
Output Capacitance  
COSS  
CRSS  
QG(TOT)  
QG(TH)  
QGS  
VDS = -10 V  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
54  
7.3  
0.5  
1.25  
1.15  
VGS = -4.5 V,  
DS = -10 V,  
Threshold Gate Charge  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain Charge  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Delay Time  
V
ID = -2.7A  
QGD  
td(ON)  
8.0  
6.4  
VGS = -4.5 V,  
Rise Time  
tr  
VDS = -10 V,  
ns  
V
ID=-1.2A,  
Turn-Off Delay Time  
td(OFF)  
tf  
41.0  
7.0  
RG=6 Ÿ  
Fall Time  
BODY DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Voltage  
VSD  
VGS = 0 V, IS = -0.9A  
-0.74  
-1.5  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
3 of 3  
配单直通车
WPM1481-6/TR产品参数
型号:WPM1481-6/TR
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
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