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| 型号: | WS1M32V-25G3M |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 28 MM, CERAMIC, QFP-84 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 |
| 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 4M X 8 |
| JESD-30 代码： | R-CQFP-G84 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 27.18 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 |
| 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1MX32 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP84,1.2SQ,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大待机电流： | 0.065 A |
| 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.6 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 27.18 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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