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| 型号: | WS512K32N-20H1I |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 包装说明： | 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 20 ns |
| 其他特性： | USER CONFIGURABLE AS 2M X 8 |
| 备用内存宽度： | 16 |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-CPGA-P66 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 27.3 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 |
| 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX32 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA66,11X11 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.028 A |
| 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.66 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 27.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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