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| 型号: | WW190M |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | WAFER |
| 包装说明： | DIE, DIE-6 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 300 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 1.5 pF |
| JESD-30 代码： | DIE-6 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装形式： | DIE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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