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X2212AD产品参数
型号:X2212AD
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETIC SEALED, CERDIP-18
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
最长访问时间:250 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T18
JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:4
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:18
字数:256 words
字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256X4
输出特性:3-STATE
可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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