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| 型号: | XBP14E5UFN-G |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DFN2510-10A, 10 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 1.6 |
| 最大击穿电压： | 9 V |
| 最小击穿电压： | 6 V |
| 击穿电压标称值： | 7.5 V |
| 最大钳位电压： | 13 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N10 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 10 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2 |
| 最大重复峰值反向电压： | 5 V |
| 最大反向电流： | 1 µA |
| 反向测试电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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