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  • XC17128DDD8M图
  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 厂家XILINX/赛灵思 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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XC17128DDD8M产品参数
型号:XC17128DDD8M
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP
包装说明:CERAMIC, DIP-8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76
最大时钟频率 (fCLK):12.5 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:10.16 mm
内存密度:131072 bit
内存集成电路类型:CONFIGURATION MEMORY
内存宽度:1
功能数量:1
端子数量:8
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
组织:128KX1
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.00005 A
子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.01 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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